南航用纳米技术研发出半导体特性的硫化五钼纳米带
2013年05月24日 14:1 5096次浏览 来源： 南京航空航天大学 分类： 新技术
南京航空航天大学纳米科学研究所与东南大学、南京大学和浙江大学科研团队合作开展的纳米制造技术研究取得突破，生成了0.35纳米宽的尺寸均一、具有半导体特性的高强韧的四硫化五钼纳米带。
研究还显示：二硫化钨、二硒化钼等二硫属过渡族金属化合物二维原子晶体材料都具有类似的可加工性能。这有望将自上而下的纳米制造技术从10纳米以上突破到亚纳米级，提供了纳米制造技术向亚纳米级发展的一个新途径。该研究成果已在《自然-通讯》杂志发表。
近半个多世纪以来，精细化制造一直是科技产业发展的强大推动力。尤其是随着半导体产业迅速发展，以光刻、电子束刻蚀等能量束刻蚀技术为主的自上而下的主流纳米制造技术已经突破了20纳米节点，最前沿的技术正在渐渐向10纳米分辨率趋近，但要达到可控制造10纳米特征尺寸的结构尚面临巨大挑战。
责任编辑：安子
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