2009年首次发现的斯格明子（skyrmion）是一种具有旋涡状的结构体，它具有拓扑学稳定性、尺寸小、高效运动等特性，因此，作为超高密度超高速的第二代存储元件的基本单元，备受学界的关注。不过，作为其拓扑学特性之一，斯格明子霍尔效应(skyrmion hall effect)会导致斯格明子很难按照理想的方向前进运动，因此，迫切需要开发这样一种物质和技术，亦即，按照外部施加的电流方向运动的“斯格明子前进运动”。近期，韩国研究团队在这一领域取得了巨大成果，此举将有助于实现采用斯格明子制备第二代超低功耗旋转存储器。
　　韩国科学技术研究院（KIST）的存储器融合研究团的禹成勳（音译）博士团队采用亚铁磁体（ferrimagnetic：GdFeCo,钆、铁、钴等金属的合金），这是一种介于铁磁体和反铁磁体的中间态，由此在全球首次提出具有较高直进性和移动效率的斯格明子运动机理。
　　事实上，为了采用斯格明子驱动存储元件，就必须准确控制每个斯格明子的位置，为了实现这样的位置调整，就必须采用外部电流使得斯格明子向目标位置移动，也就是说，迫切需要斯格明子按照电流方向前进运动的核心技术，因此，本研究的目标就是要斯格明子应用于储存元件，未来将有助于利用斯格明子制备超低功耗存储器。
　　禹成勳博士表示，随着第四次工业革命的到来，迫切需要高性能高容量的电子元件，开发超低功耗存储器元件也是当务之急，本研究采用斯格明子制备超低功耗存储器元件将有助于相关需求产业的发展。